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LSG65R650HT
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 采用先进的超结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSG65R650HT
- 商品编号
- C439129
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.469克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 950fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
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