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LSE70R450GT
1个N沟道 耐压:700V 电流:11A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSE70R450GT
- 商品编号
- C439138
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 879pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@25V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
- 最新沟槽功率MOSFET技术
- 在4.5V栅源电压（VGS）下具有极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 最新沟槽功率MOSFET技术
- 在4.5V栅源电压（VGS）下具有极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤
- 100%进行了UIS测试
- 100%进行了Rg测试
- 人体模型（HBM）2级
应用领域
-系统/负载开关、电池开关