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LSG60R1K4HT
1个N沟道 耐压:600V 电流:3A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSG60R1K4HT
- 商品编号
- C439135
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.469克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 214pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.51pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适用于高效电源管理应用。
商品特性
- 超低RDS(ON)
- 超低栅极电荷(典型值 Qg = 5.8 nC)
- 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)