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LSG60R1K4HT
1个N沟道 耐压:600V 电流:3A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSG60R1K4HT
- 商品编号
- C439135
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.469克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 214pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.51pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适用于高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——最大程度降低导通损耗
- 出色的Qgd × RDS(ON)乘积（品质因数）
- 适用于DC-DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 100%非箝位电感开关——确保更高的可靠性
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（如AEC-Q中所引用），具备高可靠性
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器