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CMF65R190SD
N沟道 650V 20A
- 描述
- MOS管，TO-220F，N沟道，耐压：650V，电流：20A，10V内阻：190mΩ，功率：45W，CISS(Typ)：1500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF65R190SD
- 商品编号
- C41433026
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.858克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 245W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
65R190SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。由此产生的器件兼具快速开关超结MOSFET的所有优点,同时提供极快且耐用的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合,使谐振开关应用尤其可靠、高效且轻便。
商品特性
-低导通电阻-超快体二极管-符合RoHS标准
应用领域
-充电器-电源