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CMF65R190SD
N沟道 650V 20A
- 描述
- MOS管，TO-220F，N沟道，耐压：650V，电流：20A，10V内阻：190mΩ，功率：45W，CISS(Typ)：1500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF65R190SD
- 商品编号
- C41433026
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.858克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 245W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品特性
- 耗尽型（常开）
- 增强型静电放电能力
- 快速开关速度
- 高击穿电压：850V
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 符合 RoHS 标准
- 提供无卤产品
应用领域
- 音频放大器
- 启动电路
- 保护电路
- 斜坡发生器
- 电流调节器
- 有源负载