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DE036NG
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
- 描述
- N管/60V/20A/36mΩ(典型26mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DE036NG
- 商品编号
- C41367274
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
BSS123K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的 RDS(on)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品BSS123K为无铅产品。
商品特性
- 100V，(R_{\mathrm{DS(ON)}} = 2.70 \Omega \text{(典型值)}} @ V_{\mathrm{GS}} = 10 \mathrm{V})
- (R_{\mathrm{DS(ON)}} = 2.95 \Omega \text{(典型值)}} @ V_{\mathrm{GS}} = 4.5 \mathrm{V})
- 高密度单元设计，实现低 (R_{\mathrm{DS(on)}})
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换