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SI2300DS
P沟道 耐压:30V 电流:4A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- SI2300DS
- 商品编号
- C41348103
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 200V
- 漏极电流（ID） = 6.0A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 0.65Ω
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换