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TP2520N8-G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TP2520N8-G

耐压:250V 电流:0.2A

描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TP2520N8-G
商品编号
C41348275
商品封装
SOT-89-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.281667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))12Ω@10V
耗散功率(Pd)1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)4.9nC@10V
输入电容(Ciss)83pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • VDS = -60V,ID = -16A
  • 当VGS = -10V时,RDS(ON)为52mΩ(典型值)

应用领域

-DC/DC 转换器-便携式设备和电池-有源钳位开关

数据手册PDF