我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
ZVN2120GTA-TP实物图
  • ZVN2120GTA-TP商品缩略图
  • ZVN2120GTA-TP商品缩略图
  • ZVN2120GTA-TP商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZVN2120GTA-TP

耐压:200V 电流:1A

描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
ZVN2120GTA-TP
商品编号
C41348308
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.2204克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))1.35Ω@10V
耗散功率(Pd)2.1W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.2nC@5V
输入电容(Ciss)148pF
反向传输电容(Crss)11.3pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)42.7pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS)= -30V,漏极电流(ID)= -50A
  • 栅源电压(VGS)= -10V时,导通电阻(RDS(ON))为8.0mΩ
  • 典型值:栅源电压(VGS)= -4.5V时,导通电阻(RDS(ON))为18mΩ

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF