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TPM30V9PS3L实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM30V9PS3L

P沟道 耐压:30V 电流:8A

描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM30V9PS3L
商品编号
C41348292
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))34mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC
输入电容(Ciss)1.03nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)125pF

应用领域

  • DC/DC 转换器-便携式设备和电池-有源钳位开关

数据手册PDF