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MBQ50T65FESCTH
MBQ50T65FESCTH
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MBQ50T65FESCTH
- 商品编号
- C41348474
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 188W；375W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A；50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 40uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.85V；2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 287nC@520V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.453nF | |
| 输出电容(Coes) | 238pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 161pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 58ns；51ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 350ns；328ns | |
| 导通损耗(Eon) | 770uJ；1.05mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 550uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 80ns；116ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |