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SI3993CDV实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI3993CDV

2个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
SI3993CDV
商品编号
C41348112
商品封装
SOT-23-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0384克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on))88mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)4.1nC@4.5V
输入电容(Ciss)340pF@15V
反向传输电容(Crss)51pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 2A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 90mΩ
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 130mΩ

应用领域

  • 负载开关
  • PWM应用

数据手册PDF