温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
Si2302ADS
20V N沟道MOSFET
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- Si2302ADS
- 商品编号
- C41348105
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0339克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 30V、50A
- RDS(ON) 3.88mΩ@VGS = 10V（典型值）
- 先进沟槽技术
- 具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
-负载/电源开关-接口、逻辑开关-超便携式电子产品的电池管理