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NTGS3136PT1G-TP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTGS3136PT1G-TP

耐压:20V 电流:8A

描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
NTGS3136PT1G-TP
商品编号
C41348083
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.037733克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))26mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.56W
阈值电压(Vgs(th))1.1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.67nF@15V
反向传输电容(Crss)120pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)220pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 200V
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,漏极电流(ID) = 1.0A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻RDS(ON) ≤ 1.35Ω
  • SOT - 223封装

应用领域

  • 电源
  • 功率因数校正(PFC)
  • LED电视

数据手册PDF