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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.175nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4443将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的 RDS(on)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 100% 非钳位感性负载（UIS）测试
- 100% 栅极电阻（Rg）测试
- 绿色环保产品
- SOIC - 8
应用领域
- 负载开关
- 电池保护