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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@30V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF；60pF |
商品概述
AO4612采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
- N沟道
- VDS (V) = 60V
- ID = 4.5A (VGS = 10V)
- P沟道
- -60V
- -3.2A (VGS = -10V)
- RDS(ON)
- < 56mΩ (VGS = 10V)
- < 77mΩ (VGS = 4.5V)
- RDS(ON)
- < 105mΩ (VGS = -10V)
- < 135mΩ (VGS = -4.5V)
- 100%进行Rg测试