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AON6413
1个P沟道 耐压:30V 电流:32A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6413
- 商品编号
- C431188
- 商品封装
- PDFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.199克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.142nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 363pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 最新沟槽功率MOSFET技术
- 在4.5V栅源电压(VGS)下具有极低的导通电阻(RDS(ON))
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 人体模型(HBM)2级
应用领域
-系统/负载开关、电池开关