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AO4822A
2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- N-CH
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4822A
- 商品编号
- C431183
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 888pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4822A采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 静电放电保护
- 100%进行UIS测试
- 绿色产品
- 100%进行Rg测试