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AON2801
2个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- P沟道
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON2801
- 商品编号
- C431181
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.019克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
AON2801采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS(V) = -20V
- ID = -3A (VGS = -4.5V)
- RDS(ON) < 120mΩ (VGS = -4.5V)
- RDS(ON) < 160mΩ (VGS = -2.5V)
- RDS(ON) < 200mΩ (VGS = -1.8V)
- 绿色产品
- DFN 2x2封装