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AO4620
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V,7.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 448pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AO4620采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于逆变器和其他应用。
商品特性
- N沟道
- VDS(V) = 30 V
- ID = 7.2 A (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 10V)
- RDS(ON) < 36 mΩ (VGS = 4.5 V)
- P沟道
- -30V
- -5.3A (VGS = -10 V)
- RDS(ON) < 32mΩ (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 55 mΩ (VGS = -4.5 V)
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
- 绿色产品