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AO9926B
2个N沟道 耐压:20V
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作，同时保持12V的VGS(MAX)额定值。该器件适合用作单向或双向负载开关。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO9926B
- 商品编号
- C428343
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@1.8V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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