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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HIP2122FRTAZ

HIP2122FRTAZ

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商品型号
HIP2122FRTAZ
商品编号
C3655709
商品封装
TDFN-10(4x4)​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)2A
属性参数值
拉电流(IOH)2A
工作电压8V~14V
上升时间(tr)10ns
下降时间(tf)10ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

HIP2122 和 HIP2123 是 100V 高频半桥 MOSFET 驱动 IC。它们基于广受欢迎的 ISL2100A 和 ISL2101A 半桥驱动器。与 ISL2100A 一样,两个逻辑输入 LI 和 HI 控制两个桥臂输出 LO 和 HO。所有逻辑输入均能耐受 vDD。 这些驱动器具有可编程死区时间,以确保高端和低端驱动器之间实现先断后通操作。死区时间可调节至 220ns。如果两个输入同时为高电平的时间超过编程延迟,内部逻辑不会阻止两个输出同时导通。 单个 PWM 逻辑输入控制两个桥臂输出(HO、LO)。使能引脚(EN)为低电平时,将两个输出驱动至低电平状态。所有逻辑输入均能耐受 vDD,HIP2122 具有带迟滞的 CMOS 输入,可在嘈杂环境中实现卓越运行。 HIP2122 的迟滞输入阈值与 vDD 成比例。HIP2123 具有 3.3V 逻辑/TTL 兼容输入。 提供两种封装选项。10 引脚 4x4 DFN 封装具有标准引脚排列。9 引脚 4x4 DFN 封装省略了引脚 2,以符合 IPC - 2221 规定的 100V 导体间距要求。

商品特性

  • 9 引脚 TDFN “B” 封装,符合 IPC - 2221 规定的 100V 导体间距指南
  • 先断后通死区时间可防止直通,且可调节至 220ns
  • 自举电源最大电压可达 114VDC
  • 宽电源电压范围(8V 至 14V)
  • 电源欠压保护
  • 带迟滞的 CMOS 兼容输入阈值(HIP2122)
  • 典型输出上拉/下拉电阻为 1.6Ω/1Ω
  • 片上集成 1Ω 自举二极管

应用领域

  • 电信半桥 DC/DC 转换器
  • UPS 和逆变器
  • 电机驱动器
  • D 类放大器
  • 带有源钳位的正激转换器

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(75个/管,最小起订量 1 个)
起订量:1 个75个/管

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