ISL6605CB
ISL6605CB
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- ISL6605CB
- 商品编号
- C3655337
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.199克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
ISL6605 是一种高频 MOSFET 驱动器，优化用于在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个 N 沟道功率 MOSFET。该驱动器与 Intersil HIP63xx 或 ISL65xx 多相降压 PWM 控制器结合使用，形成一个完整的单级核心电压调节解决方案，在高开关频率下具有高效性能，适用于先进的微处理器。
该 IC 由单一低电压电源（5V）供电，并将低驱动开关损耗降至最低，适用于高 MOSFET 栅极电容和高开关频率的应用。每个驱动器能够驱动 3000pF 的负载，传播延迟为 8ns，转换时间小于 10ns。该产品通过内部自举肖特基二极管实现上侧栅极的自举，降低了实现成本和复杂性，并允许使用更高性能、更具成本效益的 N 沟道 MOSFET。集成自适应直通保护，防止两个 MOSFET 同时导通。
ISL6605 的下侧栅极驱动器具有 4A 典型灌电流能力，能够在相位节点上升沿期间保持下侧 MOSFET 栅极，以防止由于相位节点的高 dv/dt 引起的直通功率损耗。
ISL6605 还具有三态 PWM 输入，与 Intersil 多相 PWM 控制器配合使用时，可以在输出被关闭时防止输出电压出现负瞬变。此功能消除了通常在微处理器电源系统中用于保护微处理器免受反向输出电压损坏的肖特基二极管。
商品特性
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 自适应直通保护
- 0.4Ω导通电阻和4A灌电流能力
- 支持高开关频率 - 快速输出上升和下降时间 - 超低传播延迟8ns
- 用于功率级关断的三态PWM输入
- 内部自举肖特基二极管
- 低偏置电源电流(5V,30μA)
- 使能输入
- QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN(四方扁平无引脚)产品外形
- 接近芯片级封装尺寸;提高PCB效率并降低外形厚度
- 提供无铅加退火版本(符合RoHS标准)
应用领域
- 英特尔(Intel)和AMD微处理器的核心电压电源
- 高频薄型DC/DC转换器
- 大电流低压DC/DC转换器
- 隔离电源的同步整流