IR2155PBF
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 420mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 210mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 80ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
商品概述
IR2155是一款高压、高速、自振荡式功率MOSFET和IGBT驱动器，具备高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单片结构。前端设有一个可编程振荡器，类似于555定时器。输出驱动器具备高脉冲电流缓冲级和内部死区时间，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。两个通道的传播延迟相互匹配，便于在50%占空比的应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，该配置可在高达600V的高压轨上运行。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作而设计，可在高达+600V的电压下完全正常工作，能耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 欠压锁定
- 可编程振荡器频率
- 两个通道的传播延迟匹配
- 微功耗电源启动电流典型值为125μA
- 低端输出与RT同相
- 提供无铅封装