温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTS2101PT1G-MS
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：-20V, -1.5A, RDS(ON) = 90mΩ @VGS = -4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。应用：笔记本电脑。 负载开关
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- NTS2101PT1G-MS
- 商品编号
- C3647115
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 312mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
FDMS86163P采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 100V，ID = - 50A
- RDS(ON) < 52 mΩ（@VGS = 10 V，典型值：40 mΩ）
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源