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FQD8P10TM_F085
FQD8P10TM_F085
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- FQD8P10TM_F085
- 商品编号
- C3647063
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.545nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LM5D40N10采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数FOM
- 极低的开关损耗
- 逆变器具有出色的稳定性和一致性
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用