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STL45N10F7AG实物图
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STL45N10F7AG

耐压:100V 电流:40A

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描述
STL45N10F7AG采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。
商品型号
STL45N10F7AG
商品编号
C3647069
商品封装
DFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))26mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)72W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19.8nC@10V
输入电容(Ciss)1.1906nF
反向传输电容(Crss)4.1pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)194.6pF

数据手册PDF

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