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LM5D50P10
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- LM5D50P10
- 商品编号
- C3647071
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.12nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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