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LM5D50P10

P沟道增强型MOSFET

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描述
使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
商品型号
LM5D50P10
商品编号
C3647071
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))62mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)140W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
输入电容(Ciss)2.12nF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

PMV48XPA采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = - 100V,ID = - 50A
  • RDS(ON)< 52 m Ω(@ VGS=10 V )(典型值:40 m Ω )

应用领域

-无刷电机-负载开关-不间断电源

数据手册PDF