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SQS164ELNW
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 采用先进技术，提供优异的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷，且栅极电压低至 4.5V。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- SQS164ELNW
- 商品编号
- C3647075
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1821nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 199.5pF |
商品概述
DMTH10H025LPSQ采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为实现更高的耐用性而设计。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 65A
- 在栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 10 mΩ(典型值:7.5 mΩ)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源