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FDMS86163P
-100V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- FDMS86163P 具备出色的导通电阻（Rps(on)）、低栅极电荷等特性。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- FDMS86163P
- 商品编号
- C3647072
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.7)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品特性
- VDS = - 100V,ID = - 50A
- RDS(ON) < 52 mΩ(@VGS = 10 V,典型值:40 mΩ)
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源