温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLML6346
30V N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- IRLML6346采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- IRLML6346
- 商品编号
- C3647054
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
LM3404B采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 4.2A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
-锂电池保护-无线冲击-手机快充