商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 类型 | MOSFET |
商品概述
该双路低侧功率驱动器开发模块集成了两个采用eGaN开关功率HEMT的输出功率开关、两个高速栅极驱动电路（完全由eGaN开关元件构成）、为需要此保护功能的电路提供的输入直通保护、V_BIAS过压钳位保护以及+5V直流栅极驱动偏置“电源良好”欠压监测电路，采用创新的18引脚SMT模塑环氧树脂封装，空间利用率高，为飞行单元版本提供了一个优秀的工程开发平台。
商品特性
- 每个驱动器支持10A全降额工作
- 支持100V全降额工作（具备200V能力）
- 双路独立低侧功率开关
- 200V HEMT功率开关
- 200V肖特基续流二极管
- 内部电源良好电路
- 内部V_BIAS过压保护
- 输入直通保护
- 高速开关能力：3.0 MHz
- 坚固紧凑的模塑SMT封装
- “柱状”输入/输出焊盘
- 紧凑尺寸：1.00 × 0.75 × 0.125英寸
- eGaN开关元件
- 商业级筛选
- -40°C 到 +85°C 工作温度范围
应用领域
- 高速直流-直流转换
- 同步整流
- 多相电机驱动器
- 功率开关/执行器