- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 类型 | MOSFET |
商品概述
该单低侧功率驱动器开发模块采用氮化镓开关功率高电子迁移率晶体管。这些器件集成了输出功率氮化镓高电子迁移率晶体管开关、输出钳位肖特基二极管，并由完全由氮化镓开关元件组成的高速栅极驱动电路优化驱动。此外，模块还包含+5 VDC输入VBIAS过压钳位保护以及VBIAS欠压驱动器禁用和报告功能，所有这些都集成在一个创新的、节省空间的9引脚表面贴装过模环氧树脂封装内，为工程开发提供了一个优秀的平台。电路设计美国专利号10,122,274 B2。
商品特性
- 50 VDC/12 A降额工作能力
- 单路独立低侧功率驱动器
- 100 VPC增强型氮化镓高电子迁移率晶体管输出功率开关
- 100 VPC功率肖特基续流二极管
- 栅极偏置欠压锁定检测、保护和报告
- 双向关断输入/电源良好输出
- 内部VBIAS过压保护
- 高速开关能力：3.0 MHz以上
- 坚固紧凑的模塑表面贴装封装
- “柱状”输入/输出焊盘
- 氮化镓开关元件
- 无双极型技术
- 紧凑尺寸0.750×0.380×0.125英寸
- -40°C ~ +85°C工作温度范围
应用领域
- 同步整流
- 功率开关/执行器
- 多相电机驱动器
- 高速DC-DC转换