商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 类型 | MOSFET |
商品概述
FBS-GAM04-P-C50系列双低边功率驱动器开发模块采用了eGaN开关功率HEMT作为两个输出功率开关、两个高速栅极驱动电路（完全由eGaN开关元件构成）、为需要此保护功能的电路提供输入直通保护、V_BIAS过压钳位保护以及+5V_DC栅极驱动偏置“电源正常”欠压监控电路。该模块采用创新的、节省空间的18引脚SMT模塑环氧树脂封装，为FBS-GAM04-P-R50飞行单元版本提供了一个出色的工程实验开发平台。
商品特性
- 每个驱动器均支持10A完全降额工作
- 支持100V完全降额工作（100V能力）
- 双独立低边功率开关
- 100V HEMT功率开关
- 100V肖特基续流二极管
- 内部电源正常电路
- 内部V_BIAS过压保护
- 输入直通保护
- 高速开关能力：3.0 MHz
- 坚固紧凑的模塑SMT封装
- “柱状”I/O焊盘
- 紧凑尺寸：1.00 × 0.75 × 0.125英寸
- eGaN开关元件
- 商业级筛选
- -40°C ~ +85°C工作温度范围
应用领域
- 高速DC-DC转换
- 同步整流
- 多相电机驱动器
- 功率开关/执行器
- 商业电源系统