商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 类型 | MOSFET |
商品概述
FBS-GAM02-P-C50多功能功率模块集成了eGaN开关功率HEMT，可作为非飞行开发平台，或作为独立的、功能齐全的工业级器件。该模块包含两个额定电压为100V的输出功率开关、两个高速栅极驱动电路、两个具有防直通逻辑的功率肖特基二极管钳位元件，以及一个+5 VDC栅极驱动偏置“电源正常”监控电路，所有这些都集成在一个创新的、节省空间的18引脚SMT模塑环氧树脂封装中。该器件为商业评级EAR-99。
商品特性
- 50 VDC/10 A全额定器件
- 集成输出eGaN功率HEMT
- 四种可能的配置：单低侧栅极驱动器、单高侧栅极驱动器、独立的低侧和高侧栅极驱动器、带输入直通保护的半桥栅极驱动器
- 内部直通保护
- 内部电源正常电路
- 高速开关能力：1.0+ MHz
- 坚固紧凑的模塑SMT封装
- “柱状”输入/输出焊盘
- eGaN HEMT开关元件
- 商业评级EAR-99
应用领域
- 电源开关/执行器
- 单相和多相电机相驱动器
- 负载点构建模块
- 高速DC-DC转换
- 开发平台