商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 类型 | MOSFET |
商品概述
一款高效率同步降压功率级模块，包含两个非对称MOSFET和一个集成驱动器。MOSFET针对同步降压配置中的操作进行了单独优化。高侧MOSFET经过优化，具有低电容和低栅极电荷，以实现低占空比操作下的快速开关。低侧MOSFET具有极低的导通电阻，以最小化传导损耗。紧凑的5mm×5mm QFN封装经过优化设计，可最小化寄生电感，从而降低电磁干扰特征。该模块使用PWM和/或FCCM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动，兼容5V逻辑电平，并支持三态PWM。集成了自举二极管，低侧MOSFET可被驱动至二极管仿真模式以提供异步操作并改善轻载性能。引脚布局也经过优化以降低寄生效应，将其影响降至最低。
商品特性
- 4.5V至25V电源电压范围
- 4.5V至5.5V驱动器电源电压范围
- 60A连续输出电流 - 在10ms导通脉冲下可达80A - 在10μs导通脉冲下可达120A
- 开关频率高达2MHz
- 兼容5V PWM/三态输入
- 欠压锁定保护
- FCCM引脚控制关断/二极管仿真/连续导通模式操作
- 标准5mm×5mm QFN-31L封装
应用领域
- 笔记本电脑
- 内存和显卡
- 主板稳压器模块
- 负载点DC/DC转换器
- 视频游戏机