商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 类型 | MOSFET |
商品概述
AOZ5312NQI 是一款高效率同步降压功率级模块，集成了两个非对称 MOSFET 和一个驱动器。MOSFET 针对同步降压配置进行了单独优化。高边 MOSFET 经过优化，具有低电容和低栅极电荷，以实现快速开关和低占空比运行。低边 MOSFET 具有超低导通电阻，以最小化导通损耗。该模块采用 PWM 输入，可精确控制功率 MOSFET 的开关活动，兼容 3V 和 5V CMOS 逻辑电平，并支持三态 PWM。模块集成了多种功能，使其成为一款高度通用的功率模块。自举开关集成在驱动器中。低边 MOSFET 可被驱动至二极管仿真模式，以提供异步操作并改善轻载性能。引脚布局也经过优化，以降低寄生效应，将其影响降至最低。
商品特性
- 2.5V 至 20V 电源电压范围
- 4.5V 至 5.5V 驱动器电源范围
- 60A 连续输出电流 - 脉冲持续 10ms 时可达 80A - 脉冲持续 10µs 时可达 120A
- 开关频率最高可达 2MHz
- 兼容 3V / 5V PWM / 三态输入
- 欠压锁定保护
- SMOD# 控制用于二极管仿真 / 连续导通模式操作
- 低于 1mV 的检测阈值，用于高效的零电流检测控制
- 薄型 5x5 QFN-31L 封装
应用领域
- 内存和显卡
- 主板电压调节模块
- 负载点 DC/DC 转换器
- 视频游戏机