- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@5V | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V | |
| 高侧偏置电压(Vbs) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开关频率 | 3MHz | |
| 隔离电压(Vrms) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 静态电流(Iq) | 6.5mA | |
| 工作温度 | -40℃~+115℃ | |
| 长度 | 12.7mm | |
| 宽度 | 9.525mm | |
| 功能特性 | - |
商品概述
单输出eGaN®栅极驱动器开发模块集成了完全由eGaN®开关元件构成的高速栅极驱动电路、+5 V_DC输入V_BIAS欠压监控与报告功能，以及内部输出负载栅极偏置过压钳位保护电路，封装于创新的、节省空间的9引脚SMT模压环氧树脂封装内。该模块为向FBS-GAM01P-R-PSE飞行版本过渡提供了优秀的工程设计开发平台。
商品特性
- 兼容所有EPC Space分立式eGaN® FBG和FDA系列HEMT
- 单路独立eGaN®栅极驱动器
- 能够驱动5000 pF+负载
- 逻辑兼容输入
- 栅极偏置欠压锁定保护、检测与报告
- 双向关断输入/电源良好输出
- 内部V_BIAS过压保护
- 快速转换时间：典型值30 ns
- 高速能力：3.0 MHz+
- 全部采用eGaN®开关元件
- 集成驱动器旁路电容
- 无双极型技术
- 坚固模压SMT封装“柱状”I/O焊盘
- 紧凑尺寸：0.500 × 0.375 × 0.135英寸
- 工作温度范围：-40°C 至 +85°C
- 商业级筛选
应用领域
- 开发平台
- 高速DC-DC转换
- 同步整流
- 功率开关/执行器
- 多相电机驱动器