商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 类型 | MOSFET |
商品概述
AOZ5616BQI 是一款高效率同步降压功率级模块，集成了两个非对称 MOSFET 和一个驱动器。MOSFET 针对同步降压配置中的运行进行了单独优化。高侧 MOSFET 经过优化，具有低电容和低栅极电荷，以实现低占空比运行下的快速开关。低侧 MOSFET 具有超低导通电阻，以最小化传导损耗。该模块采用 PWM 输入以精确控制功率 MOSFET 的开关活动，兼容 3V 逻辑电平并支持三态 PWM。其集成了自举开关，低侧 MOSFET 可驱动至二极管仿真模式以提供异步操作并改善轻载性能。引脚排列也经过优化以降低寄生效应，使其影响最小化。
商品特性
- 4.5V 至 25V 电源电压范围
- 4.5V 至 5.5V 驱动器电源范围
- 55A 连续输出电流 - 10ms 导通脉冲下高达 80A - 10us 导通脉冲下高达 120A
- 高达 2MHz 开关频率运行
- 兼容 3V PWM / 三态输入
- 欠压锁定保护
- SMOD# 控制用于二极管仿真 / CCM 运行
- 标准 5mm × 5mm QFN-31L 封装
应用领域
- 内存和显卡
- 主板电压调节模块
- 负载点 DC/DC 转换器
- 视频游戏机