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KGF40N65KDC
650V 80A
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- 描述
- KEC场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有低开关损耗、高能效和短路耐受能力强的特点。其专为电机控制、不间断电源（UPS）、通用逆变器等应用而设计。
- 品牌名称
- KEC
- 商品型号
- KGF40N65KDC
- 商品编号
- C400992
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.75V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.2V@4mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@40A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.3nF@30V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 60ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 950uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 550uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 97ns | |
| 工作温度 | - |