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KGF75N60KDB
场截止沟槽IGBT，具备低开关损耗、高能效和短路耐用性，适用于电机控制、不间断电源和通用逆变器
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- 品牌名称
- KEC
- 商品型号
- KGF75N60KDB
- 商品编号
- C400993
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 225A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 250uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 5.85nF | |
| 输出电容(Coes) | 250pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 80pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 100ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 230ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.9mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.4mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 170ns |