FQD5N40TM
1个N沟道 耐压:400V 电流:3.4A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD5N40TM
- 商品编号
- C3290914
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
FDD6690S 旨在替代同步 DC-DC 电源中的单个 MOSFET 和肖特基二极管。这款 30V MOSFET 旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低 RDS(ON) 和低栅极电荷。FDD6690S 采用飞兆半导体的单片 SyncFET 技术，集成了肖特基二极管。FDD6690S 作为同步整流器中的低端开关，其性能与 FDD6690A 与肖特基二极管并联时的性能无异。
商品特性
- 3.4 A、400 V,VGS = 10 V、ID = 1.7 A时,RDS(on) = 1.6 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值10 nC)
- 低Crss(典型值7 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正(PFC)
- 电子灯镇流器