HUF76009D3ST
1个N沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76009D3ST
- 商品编号
- C3290886
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款专为汽车应用设计的条形平面结构HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及多种其他应用。
商品特性
- 20A、20V
- rDS(ON) = 0.027 Ω,VGS = 10V
- rDS(ON) = 0.039 Ω,VGS = 5V
- 针对同步降压应用优化的PWM
- 快速开关
- 低栅极电荷
- 总栅极电荷Qg 11 nC(典型值)
- 低电容
- 输入电容CISSi 470 pF(典型值)
- 反向传输电容CRSS 50 pF(典型值)