STW60N65M5
N沟道,电流:46A,耐压:650V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW60N65M5
- 商品编号
- C3290719
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 139nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.81nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 141pF |
商品概述
这些器件是基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmeshTM V功率MOSFET,该技术与知名的PowerMESHTM水平布局结构相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻,这在基于硅的功率MOSFET中是无与伦比的,使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 在基于硅的器件中拥有全球最佳的RDS(on)面积
- 更高的VDSS额定值
- 高dv/dt能力
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用