FQPF30N06
N沟道,电流:21A,耐压:60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF30N06
- 商品编号
- C3290550
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 945pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列。与上一代 MDmesh 产品相比，DM6 结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），每单位面积的导通电阻（RDS(on)）显著降低，同时具备市场上针对高要求高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的最有效的开关特性之一。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，每单位面积的导通电阻（RDS(on)）更低
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用