FQPF30N06
N沟道,电流:21A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF30N06
- 商品编号
- C3290550
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 945pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列。与上一代 MDmesh 产品相比，DM6 结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），每单位面积的导通电阻（RDS(on)）显著降低，同时具备市场上针对高要求高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的最有效的开关特性之一。
商品特性
- 21A、60V,RDS(on) = 0.04 Ω(VGS = 10 V时)
- 低栅极电荷(典型值19 nC)
- 低Crss(典型值40 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值175°C
应用领域
-汽车-DC/DC转换器-便携式和电池供电产品电源管理的高效开关