FQPF14N15
150V, 9.8A, N沟道 MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF14N15
- 商品编号
- C3290549
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET II MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET II FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能经过优化，可省去额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ T_J = 150°C
- RDS(on) = 320 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值Q_g = 33 nC）
- 低有效输出电容（典型值C_oss(eff.) = 165 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示器电源
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 照明/充电器/适配器