FQPF7P06
P沟道 MOSFET,电流:-5.3A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF7P06
- 商品编号
- C3290545
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 410mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
RM40N200TI采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。
商品特性
- -5.3A,-60V,在VGS = -10V时,RDS(导通) = 0.41Ω
- 低栅极电荷(典型值6.3nC)
- 低Crss(典型值25pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值175°C
应用领域
-汽车-DC/DC转换器-便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关