FDPF5N50TYDTU
N沟道,电流:5A,耐压:500V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF5N50TYDTU
- 商品编号
- C3290538
- 商品封装
- TO-220F(LG-Formed)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品概述
这些 N 型沟道逻辑级 MOSFET 是采用先进的“电源沟槽”工艺制造而成的，该工艺经过特别优化，旨在最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合低电压和电池供电的应用场合，因为它们在这些应用中需要低的在线功率损耗和快速的开关速度。
商品特性
- RDS(on) = 1.15 Ω(典型值)@ VGS = 10 V, ID = 2.5 A
- 低栅极电荷(典型值11nC)
- 低 Crss(典型值5pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准