SFP9640L
P沟道 MOSFET,电流:-11A,耐压:-200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SFP9640L
- 商品编号
- C3290342
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 98W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.585nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 耐用栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流:-10uA(最大值)@VDS = -200V
- 更低的RDS(ON):0.383 Ω(典型值)