FDP6035AL
N沟道,电流:48A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP6035AL
- 商品编号
- C3290341
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于基于半桥的高效开关电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 48 A、30 V,RDS(ON) = 12 m Ω(VGS = 10 V 时)
- RDS(ON) = 14 m Ω(VGS = 4.5 V 时)
- 规定了高温下的关键直流电气参数
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 \mathsfRDS(ON)
- 最高结温额定值为175°C