SFP9634
P沟道,电流:-5.0A,耐压:-250V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SFP9634
- 商品编号
- C3290306
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 975pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
这款双P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化栅源电压（VGS）为 -2.5 V时的漏源导通电阻（RDS(ON)）。
商品特性
- -150 mA、-20 V，栅源电压（VGS） = -4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 8 Ω
- 栅源电压（VGS） = -2.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 12 Ω
- ESD保护二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组